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1 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 ulapproved(e83335) econopim?3modulmittrench/feldstoppigbt3undemittercontrolled3diodeundntc econopim?3modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandntc v ces = 1200v i c nom = 40a / i crm = 80a typischeanwendungen typicalapplications ? ? hilfsumrichter auxiliaryinverters ? ? medizinischeanwendungen medicalapplications ? ? motorantriebe motordrives ? ? servoumrichter servodrives elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? v cesat mitpositivemtemperaturkoeffizienten v cesat withpositivetemperaturecoefficient mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? hohelast-undthermischewechselfestigkeit highpowerandthermalcyclingcapability ? ? integrierterntctemperatursensor integratedntctemperaturesensor ? ? kupferbodenplatte copperbaseplate ? ? l?tverbindungstechnik soldercontacttechnology ? ? standardgeh?use standardhousing modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 150c t c = 25c, t vj max = 150c i c nom i c 40 55 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 80 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 150 p tot 210 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 40 a, v ge = 15 v i c = 40 a, v ge = 15 v v ce sat 1,80 2,15 2,30 v v t vj = 25c t vj = 125c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 1,50 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,33 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 6,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 2,50 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,09 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 13 w t d on 0,09 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 13 w t r 0,03 0,05 s s t vj = 25c t vj = 125c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 13 w t d off 0,42 0,52 s s t vj = 25c t vj = 125c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 13 w t f 0,07 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 40 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v r gon = 13 w e on 4,10 4,60 mj mj t vj = 25c t vj = 125c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 40 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v r goff = 13 w e off 3,10 4,20 mj mj t vj = 25c t vj = 125c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 720 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 160 a t vj = 125c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,60 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,135 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c
3 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 40 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 80 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 320 a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 40 a, v ge = 0 v i f = 40 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 2,30 v v t vj = 25c t vj = 125c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 40 a, - di f /dt = 900 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 39,0 38,0 a a t vj = 25c t vj = 125c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 40 a, - di f /dt = 900 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 4,20 7,80 c c t vj = 25c t vj = 125c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 40 a, - di f /dt = 900 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 1,35 3,45 mj mj t vj = 25c t vj = 125c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 0,95 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,215 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c diode,gleichrichter/diode,rectifier h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1600 v durchlassstromgrenzeffektivwertprochip maximumrmsforwardcurrentperchip t c = 80c i frmsm 60 a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t c = 80c i rmsm 80 a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i fsm 450 370 a a grenzlastintegral i2t-value t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 1000 685 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage t vj = 150c, i f = 40 a v f 1,00 v sperrstrom reversecurrent t vj = 150c, v r = 1600 v i r 1,00 ma w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 0,90 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,205 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op c
4 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 igbt,brems-chopper/igbt,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 150c t c = 25c, t vj max = 150c i c nom i c 40 55 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 80 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 150 p tot 210 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 40 a, v ge = 15 v i c = 40 a, v ge = 15 v v ce sat 1,80 2,15 2,30 v v t vj = 25c t vj = 125c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 1,50 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,33 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 6,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 2,50 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,09 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 27 w t d on 0,09 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 27 w t r 0,03 0,05 s s t vj = 25c t vj = 125c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 27 w t d off 0,42 0,52 s s t vj = 25c t vj = 125c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 40 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 27 w t f 0,07 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 40 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v r gon = 27 w e on 4,10 6,00 mj mj t vj = 25c t vj = 125c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 40 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v r goff = 27 w e off 3,10 4,20 mj mj t vj = 25c t vj = 125c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 720 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 160 a t vj = 125c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,60 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,135 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c
5 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 diode,brems-chopper/diode,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 15 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 30 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 60,0 a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v v f 1,65 1,65 2,20 v v t vj = 25c t vj = 125c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 15 a, - di f /dt = 400 a/s (t vj =125c) v r = 600 v i rm 16,0 15,0 a a t vj = 25c t vj = 125c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 15 a, - di f /dt = 400 a/s (t vj =125c) v r = 600 v q r 1,80 3,00 c c t vj = 25c t vj = 125c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 15 a, - di f /dt = 400 a/s (t vj =125c) v r = 600 v e rec 0,55 1,10 mj mj t vj = 25c t vj = 125c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,50 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,34 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
6 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min v isol 2,5 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) ai 2 0 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,009 k/w modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 60 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc' 7,00 4,00 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm gewicht weight g 300 g bei betrieb mit vge = 0v/+15v empfehlen wir einen rgon,min von 27 ohm und eine rgoff,min von 27 ohm (siehe an 2006-01) for operation with vge= 0v/+15v we recommend a rgon,min of 27 ohms and a rgoff,min of 27 ohms (see an 2006-01)
7 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 10 20 30 40 50 60 70 80 t vj = 25c t vj = 125c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =125c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 10 20 30 40 50 60 70 80 t vj = 25c t vj = 125c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =13 w ,r goff =13 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c
8 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =40a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 z thjc : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,06769 0,002345 2 0,2709 0,028 3 0,1523 0,1128 4 0,1052 0,282 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =13 w ,t vj =125c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 t vj = 25c t vj = 125c
9 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =13 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 e rec , t vj = 125c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =40a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 e rec , t vj = 125c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 z thjc : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,09674 0,003333 2 0,6249 0,03429 3 0,18 0,1294 4 0,05701 0,7662 durchlasskennliniederdiode,gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 0 10 20 30 40 50 60 70 80 t vj = 25c t vj = 150c
10 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 ausgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 10 20 30 40 50 60 70 80 t vj = 25c t vj = 125c durchlasskennliniederdiode,brems-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 t vj = 25c t vj = 125c ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
11 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines in fin e o n
12 technischeinformation/technicalinformation FP40R12KE3G igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-02 revision:3.0 nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. in fin e o n

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