mipaq?basemodulmittrench/feldstoppigbt4,emittercontrolled4diodeundstrommesswiderstand mipaq?basemodulewithtrench/fieldstopigbt4,emittercontrolled4diodeandcurrentsenseshunt 1 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten/preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 95c, t vj = 175c i c nom 75 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 150 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj = 175c p tot 385 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 75 a, v ge = 15 v i c = 75 a, v ge = 15 v i c = 75 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,15 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 2,40 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,57 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 10 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 4,30 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,16 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 2,2 w t d on 0,13 0,15 0,15 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 2,2 w t r 0,02 0,03 0,035 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 2,2 w t d off 0,30 0,38 0,40 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 75 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 2,2 w t f 0,045 0,08 0,09 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 75 a, v ce = 600 v, l s = 25 nh v ge = 15 v, di/dt = 2800 a/s (t vj =150c) r gon = 2,2 w e on 4,70 7,20 8,00 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 75 a, v ce = 600 v, l s = 25 nh v ge = 15 v, du/dt = 3800 v/s (t vj =150c) r goff = 2,2 w e off 3,90 6,10 6,40 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 270 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,39 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,195 k/w
2 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 75 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 150 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 960 a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 75 a, v ge = 0 v i f = 75 a, v ge = 0 v i f = 75 a, v ge = 0 v v f 1,70 1,65 1,65 2,15 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 75 a, - di f /dt = 2800 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 115 120 125 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 75 a, - di f /dt = 2800 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 8,60 14,0 16,0 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 75 a, - di f /dt = 2800 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 2,60 4,50 5,50 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 0,62 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,31 k/w strommesswiderstand/shunt min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 20c r 20 2,40 m w temperaturkoeffizient temperaturecoefficient(tcr) 20c - 60c < 30 ppm/k betriebstemperaturshunt-widerstand operationtemperatureshunt-resistor t tvjop 200 c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance;junktiontocase r thjc 13,0 k/w ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
3 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstreck creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,009 k/w modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 20 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' 1,80 m w h?chstzul?ssigesperrschichttemperatur maximumjunctiontemperature wechselrichter,brems-chopper/inverter,brake-chopper t vj max 175 c temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions wechselrichter,brems-chopper/inverter,brake-chopper t vj op -40 150 c lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm gewicht weight g 300 g
4 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =2.2 w ,r goff =2.2 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c
5 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =75a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 z thjc : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,0234 0,01 2 0,1287 0,02 3 0,1248 0,05 4 0,1131 0,1 durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =2.2 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 1 2 3 4 5 6 7 8 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c
6 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =75a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 0 1 2 3 4 5 6 7 8 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 z thjc : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,0372 0,01 2 0,2046 0,02 3 0,1984 0,05 4 0,1798 0,1 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 100 1000 10000 100000 r typ
7 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j
8 technischeinformation/technicalinformation ifs75b12n3t4_b31 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:ms dateofpublication:2013-03-05 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j
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