1 technische information / technical information dd1200s33k2c igbt-module igbt-modules
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# vorl?ufige daten preliminary data diode-wechselrichter / diode-inverter h?chstzul?ssige werte / maximum rated values $ %&
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3>?@a? " 9 b charakteristische werte / characteristic values
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23*" 49 3g*!e 4gb -.*"e -9-cd* "+-9'()* +, -.*"e -9-cd* "+-9'()*" +, 2./ "h 4 4 %&i
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2 technische information / technical information dd1200s33k2c igbt-module igbt-modules
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# vorl?ufige daten preliminary data modul / module 2
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o % g 1=6 % g 1=e = "9e e9 9" " f f 71 1 7 " dauergleichstrom: chipbezogener wert; terminalwert pro zweig: <1000a dc forward current: chip related value; terminal value per arm: <1000a mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. it is valid with the appropriate technical explanations.
3 technische information / technical information dd1200s33k2c igbt-module igbt-modules
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# vorl?ufige daten preliminary data 0 p
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z \ 1
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4 technische information / technical information dd1200s33k2c igbt-module igbt-modules
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# vorl?ufige daten preliminary data schaltplan / circuit diagram geh?useabmessungen / package outlines
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