technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 211 u 10...14 u elektrische eigenschften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung t vj = - 25c...t vj max v rrm 1000 v repetitive peak forward reverse voltage 1200 v 1400 v sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1100 v non-repetitive peak reverse voltage 1300 v 1500 v durchla?strom-grenzeffektivwert i frmsm 400 a rms forward current dauergrenzstrom t c =100c i favm 150 a t c =71c 211 a mean forward current t c =48c 255 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, tp = 10 ms i fsm 4700 a surge foward current t vj = t vj max , tp = 10 ms 3900 a t vj = 25c, tp = 1 ms 9910 a t vj = t vj max , tp = 1 ms 8230 a grenzlastintegral t vj = 25c, tp = 10ms i2t 110450 a2s t vj = t vj max , tp = 10ms 76050 a2s t vj = 25c, tp = 1ms 49100 a2s i2t-value t vj = t vj max , tp = 1ms 33870 a2s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 800 a v f max. 1,9 v forward voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 1 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 1 m w forward slope resistance typischer wert der durchla?verz?gerungsspannung iec 747-2 v frm typ 3,9 v 1) typical value of forward recovery voltage t vj = t vj max di f /dt=50a/s, v r =0v durchla?verz?gerungszeit iec 747-2, methode / method ii t fr typ 4,1 s 1) forward recovery time t vj = t vj max, i fm =1400a di f /dt=50 a/s, v r =0v sperrstrom t vj = 25c, v r =v rrm i r max. 10 ma reverse current t vj = t vj max , v r = v rrm max. 100 ma rckstromspitze din iec 747-2, t vj =t vj max i rm 75 a 1) peak reverse recovery current i fm =465a,-di f /dt=50a/s v r =100v, v rm< =200 v sperrverz?gerungsladung din iec 747-2, t vj =t vj max q r 210 as 1) recovered charge i fm =465 a,-di f /dt=50a/s v r =100v, v rm< =200 v sperrverz?gerungszeit din iec 747-2, t vj =t vj max t rr 3,45 s 1) reverse recovered time i fm =465a,-di f /dt=50a/s v r =100 v; v rm< =200v sanftheit t vj = t vj max sr s/a 2) softness i fm =a,-di f /dt=a/s v r <=0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm 1) richtwert fr obere streubereichsgrenze / upper limit of scatter range (standard value) 2) richtwert fr untere streubereichsgrenze / lower limit of scatter range (standard value) sz-m / 12.02.1987 seite/page 1
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 211 u 10...14 u thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thjc thermal resitance, junction to case q =180sin max. 0,24 c/w dc max. 0,245 c/w bergangs- w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thck thermal resitance, case to heatsink max. 0,04 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 150 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op -40...+150 c operating temperature lagertemperatur t stg -40...+150 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-element mit druckkontakt durchmesser/diameter 21mm si-pellet with pressure contact anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung m 20 nm mounting torque gewicht g typ. 175 g weight kriechstrecke 12 mm creepage distance feuchteklasse din 40040 c humidity classification schwingfestigkeit f = 50hz 5x9,81 m/s2 vibration resistance khlk?rper / heatsinks: kl 42 ; kl 91 mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen./ the technical information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. sz-m / 12.02.1987 seite/page 2
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 211 u 10...14 u sz-m / 12.02.1987 seite/page 3
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 211 u 10...14 u khlung analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc cooling analytical ementes of transient thermal impedance z thjc for dc pos.n 1 2 3 4 5 6 7 r thn [c/w] 0,00036 0,00992 0,00962 0,151 0,0691 t n [s] 0,000089 0,00154 0,0335 0,422 3,274 r thn [c/w] t n [s] r thn [c/w] t n [s] n max analytische funktion / analytical function : z thjc = = ? r thn ( 1 - exp ( - t / t n )) n=1 sz-m / 12.02.1987 seite/page 4
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 211 u 10...14 u grenzdurchla?kennlinie / limiting 0n-state characteristic i f =f(v f ) t vj = t vj max sz-m / 12.02.1987 seite/page 5 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1.000 0,5 1 1,5 2 2,5 v f [v] i f [a]
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