nte5555 & NTE5557 silicon controlled rectifier (scr) 820 amp absolute maximum ratings: (t j = +125 c unless otherwise specified) repetitive peak voltages, v rrm , v drm , v dsm nte5555 600v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . NTE5557 1600v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . non?repetitive peak reverse blocking voltage, v rsm nte5555 700v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . NTE5557 1700v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . average on?state current (half sine wave), i t(av) t hs = +55 c (double side cooled) 735a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t hs = +85 c (single side cooled) 290a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . rms on?state current (t hs = +25 c, double side cooled), i t(rms) 1470a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . continuous on?state current (t hs = +25 c, double side cooled), i t 1230a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . peak one?cycle surge (10ms duration, 60% v rrm re?applied), i tsm (1) 7600a . . . . . . . . . . . . . . . . . non?repetitive on?state current (10ms duration, v r 10v), i tsm (2) 8360a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . maximum permissible surge energy (v r 10v), i 2 t 10ms duration 349000a 2 s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3ms duration 256000a 2 s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . peak forward gate current (anode positive with respect to cathode), i fgm 20a . . . . . . . . . . . . . . . . peak forward gate voltage (anode positive with respect to cathode), v fgm 18v . . . . . . . . . . . . . . . peak reverse gate voltage, v rgm 5v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . average gate power, p g 2w . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . peak gate power (100 s pulse width), p gm 100w . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . rate of rise of off?state voltage (to 80% v drm gate open?circuit), dv/dt 200v/ s . . . . . . . . . . . . . rate of rise of on?state current, di/dt (gate drive 20v, 20 ? with t r 1 s, anode voltage 80% v drm ) repetitive 500a/ s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . non?repetitive 1000a/ s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . operating temperature range, t hs ?40 to +125 c . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . storage temperature range, t stg ?40 to +150 c . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . thermal resistance, junction?to?heatsink, r th(j?hs) (for a device with a maximum forward voltage drop characteristic) double side cooled 0.05 c/w . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . single side cooled 0.1 c/w . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
absolute maximum ratings (cont?d): (t j = +125 c unless otherwise specified) peak on ? state voltage (i tm = 1550a), v tm 1.78v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . forward conduction threshold voltage, v o 1.03v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . forward conduction slope resistance, r 0.483m ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . repetitive peak off ? state current (at v drm ), i drm 40ma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . repetitive peak reverse current (at v rrm ), i rrm 40ma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . maximum gate current (v a = 6v, i a = 1a, t j = +25 c), i gt 150ma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . maximum gate voltage (v a = 6v, i a = 1a, t j = +25 c), v gt 3v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . maximum holding current (v a = 6v, i a = 1a, t j = +25 c), i h 500ma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . maximum gate voltage which will not trigger any device, v gd 0.25v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .990 (25.1) dia .990 (25.1) dia .012 (0.3) 25 1.102 (28.0) .140 x .075 (3.5 x 1.8) dia (2 holes) .190 (4.8) cathode anode gate terminal 1.650 (42.0) dia .590 (15.0)
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