zmy3.0g ... zmy9.1g (1.0 w), zmy1, zmy10 ... zmy200 (1.3 w) zmy3.0g ... zmy9.1g (1.0 w), zmy1, zmy10 ... zmy200 (1.3 w) surface mount silicon-zener diodes si-zener-dioden fr die oberfl?chenmontage version 2011-10-17 zmy...g planar zmy... non-planar dimensions - ma?e [mm] zmy3.0g ... zmy9.1g nominal z-voltage C nominale z-spannung 3.0...9.1 v glass case C glasgeh?use melf do-213ab zmy1, zmy10 ... zmy200 nominal z-voltage C nominale z-spannung 10...200 v plastic case C kunststoffgeh?use melf do-213ab weight approx. C gewicht ca. 0.12 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped and reeled standard lieferform gegurtet auf rolle standard zener voltage tolerance is graded to the international e 24 (~ 5%) standard. other voltage tolerances and higher zener voltages on request. die toleranz der zener-spannung ist in der standard-ausfhrung gestuft nach der internationalen reihe e 24 (~ 5%). andere toleranzen oder h?here arbeitsspannungen auf anfrage. maximum ratings and characteristics grenz- und kennwerte zmy3.0g ... zmy9.1g power dissipation C verlustleistung t a = 25c p tot 1.0 w 1 ) junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 150 k/w 1 ) thermal resistance junction to terminal w?rme widerstand sperrschicht C anschluss r tht < 70 k/w zmy1, zmy10 ... zmy200 power dissipation C verlustleistung t a = 50c p tot 1.3 w 1 ) non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms einmalige impuls-verlustleistung, t < 10 ms t a = 25c p zsm 40 w junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+175c thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 45 k/w 1 ) thermal resistance junction to terminal w?rme widerstand sperrschicht C anschluss r tht < 10 k/w 2 3 1 mounted on p.c. board with 50 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 50 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 tested with pulses C gemessen mit impulsen 3 the zmy1 is a diode operated in forward mode. hence, the index of all parameters should be f instead of z. die zmy1 ist eine in durchlass betriebene si-diode. bei allen kenn- und grenzwerten ist der index f statt z zu setzen ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 2 . 5 5 . 0 0 . 4 0 . 4 t y p e t y p 2 . 5 5 . 0 0 . 5 0 . 5 t y p e t y p
zmy3.0g ... zmy9.1g (1.0 w), zmy1, zmy10 ... zmy200 (1.3 w) maximum ratings grenzwerte type typ zener voltage 2 ) zener-spannung 2 ) i z = i ztest test current me?strom dynamic resistance diff. widerstand i ztest / f = 1 khz temp. coeffic. of z-voltage der z-spannung reverse volt. sperrspanng. i r = 1 a z-current 1 ) z-strom 1 ) t a = 50c v zmin [v] v zmax [v] i ztest [ma] r zj [] vz [10 -4 /c] v r [v] i zmax [ma] zmy1 3 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) C26C16 C 1000 zmy3.0g 2.8 3.2 100 5 (<8) C8+1 C 313 zmy3.3g 3.1 3.5 100 5 (<8) C8+1 > 0.7 / 150 a 286 zmy3.6g 3.4 3.8 100 5 (<8) C8+1 > 0.7 / 100 a 263 zmy3.9g 3.7 4.1 100 4 (<7) C7+2 > 0.7 / 100 a 244 zmy4.3g 4.0 4.6 100 4 (<7) C7+3 > 0.7 / 50 a 217 zmy4.7g 4.4 5.0 100 4 (<7) C7+4 > 0.7 / 10 a 200 zmy5.1g 4.8 5.4 100 2 (<5) C6+5 > 0.7 / 10 a 185 zmy5.6g 5.2 6.0 100 1 (<2) C3+5 > 0.5 / 3 a 167 zmy6.2g 5.8 6.6 100 1 (<2) C1+6 > 1.5 / 500 na 152 zmy6.8g 6.4 7.2 100 1 (<2) 0+7 > 2 / 500 na 139 zmy7.5g 7.0 7.9 100 1 (<2) 0+7 > 3 / 500 na 127 zmy8.2g 7.7 8.7 100 1 (<2) +3+8 > 6 / 500 na 115 zmy9.1g 8.5 9.6 50 2 (<4) +3+8 > 7 / 500 na 104 zmy10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5+9 > 5 123 zmy11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5+10 > 5 112 zmy12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5+10 > 7 102 zmy13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5+10 > 7 92 zmy15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5+10 > 10 83 zmy16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6+11 > 10 76 zmy18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6+11 > 10 68 zmy20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6+11 > 10 61 zmy22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6+11 > 12 56 zmy24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6+11 > 12 51 zmy27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6+11 > 14 45 zmy30 28 32 25 8 (<15) +6+11 > 14 41 zmy33 31 35 25 8 (<15) +6+11 > 17 37 zmy36 34 38 10 16 (<40) +6+11 > 17 34 zmy39 37 41 10 20 (<40) +6+11 > 20 32 zmy43 40 46 10 24 (<45) +7+12 > 20 28 zmy47 44 50 10 24 (<45) +7+12 > 24 26 zmy51 48 54 10 25 (<60) +7+12 > 24 24 zmy56 52 60 10 25 (<60) +7+12 > 28 22 zmy62 58 66 10 25 (<80) +8+13 > 28 20 zmy68 64 72 10 25 (<80) +8+13 > 34 18 zmy75 70 79 10 30 (<100) +8+13 > 34 16 zmy82 77 88 10 30 (<100) +8+13 > 41 15 zmy91 85 96 5 40 (<200) +9+13 > 41 14 zmy100 94 106 5 60 (<200) +9+13 > 50 12 zmy110 104 116 5 80 (<250) +9+13 > 50 11 zmy120 114 127 5 80 (<250) +9+13 > 60 10 zmy130 124 141 5 90 (<300) +9+13 > 60 9 zmy150 138 156 5 100 (<300) +9+13 > 75 8 zmy160 153 171 5 110 (<350) +9+13 > 75 8 zmy180 168 191 5 120 (<350) +9+13 > 90 7 zmy200 188 212 5 150 (<350) +9+13 > 90 6 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
zmy3.0g ... zmy9.1g (1.0 w), zmy1, zmy10 ... zmy200 (1.3 w) ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 3 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 30a-(1a-1.1v) 10 18 24 30 36 43 51 62 56 68 75 82 91 100 t = 25c j i zt i zmax typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen 120 100 80 60 40 20 0 [%] p tot [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1 zmy10...200 zmy3.0g...9.1g [pf] [v] c j v z t = 25c f = 1.0 mhz j v = 0v r junction capacitance vs. zener voltage (typical) sperrschichtkapazit?t in abh. v.d. zenerspg. (typ.) zmy10...200 zmy3.0g...9.1g 0 2 3 4 5 6 7 8 10 [v] v z [ma] 50 150 0 100 i z 3,0 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 i = 100 ma z i = 50 ma z typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen
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