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KOM 2057 L
3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array
KOM 2057 L
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet fur Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 14 ns) q DIL-Plastikbauform Anwendungen
q q q q q
400 nm to 1100 nm
q Short switching time (typ. 14 ns) q DIL plastic package
Applications
q q q q q
Nachlaufsteuerungen Kantenfuhrung Positionierung Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln"
Follow-up controls Edge drives Positioning Industrial electronics For control and drive circuits
Typ Type KOM 2057 L
Bestellnummer Ordering Code Q62702-K8
Gehause Package klares Epoxy-Gieharz, Lotspiee im 7,62-mm-Raster (3/10"), Kathodenkennzeichnung: Nase am Lotspie transparent epoxy resin, solder leads in 7.62 mm spacing (3/10"), cathode marking: projection at solder lead
feo06429
KOM 2057 L
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t = 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t = 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 80 230 Einheit Unit C C
Top; Tstg TS
VR Ptot
32 150
V mW
Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, 2856 K) fur jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 C, standard light A, 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity, VR = 5 V Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfinlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Symbol Symbol Wert Value 80 ( 50) 880 400 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm
S
S max
A LxB LxW H
7 2.65 x 2.65
mm2 mm x mm
0.4 ... 0.6
mm
60 2 ( 30)
Grad deg. nA
IR
KOM 2057 L
Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, 2856 K) fur jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 C, standard light A, 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average value Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 , VR = 10 V; = 850 nm; IP = 800 A Durchlaspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage Kapazitat Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 850 nm Detection limit Symbol Symbol Wert Value 0.62 10 Einheit Unit A/W %
S
S
0.90 365 ( 300) 80 14
Electrons Photon mV A ns
VO ISC tr, tf
VF C0
1.3 72
V pF
TCV TCI NEP
-2.6 0.18 4.1 x 10-14
mV/K %/K W Hz
D*
6.6 x 1012
cm * Hz W
KOM 2057 L
Relative spectral sensitivity Srel = f ()
Photocurrent IP = f (Ev); VR = 5 V Open-circuit voltage VO= f (Ev)
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Dark current IR = f (VR), E=0
Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
Directional characteristics Srel = f ()

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