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| Datasheet File OCR Text: |
| GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) GaAs Infrared Emitters (950 nm) SFH 4510 SFH 4515 2.7 2.3 2.05 R 1.95 2.7 2.4 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 (3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4 GEO06968 14.7 13.1 2.54 mm spacing -0.1...0.1 3.7 3.3 Cathode/ Collector 4.5 3.9 7.7 7.1 Chip position 8.0 7.4 15.5 14.7 4.5 3.9 2.05 R 1.95 (3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4 GEO06969 4.8 4.4 SFH 4510 4.8 4.4 2.54 mm spacing SFH 4515 4.5 3.9 7.7 7.1 Cathode/ Collector Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group -0.15...0.15 2.7 2.4 1 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Fur Oberflachenmontage geeignet Gegurtet lieferbar Gehausegleich mit Fotodiode SFH 2500/ SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q Hohe Zuverlassigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfanger q q q q Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q High reliability q Spectral match with silicon photodetectors Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern q Geratefernsteuerungen fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control for steady and varying intensity Typ Type SFH 4510 SFH 4515 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1798 Q62702-P1821 Gehause Package 5-mm-LED-Gehause (T 1 3/4), schwarzes EpoxyGieharz, Anschlusse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515 gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10''),Kathodenkennzeichnung: siehe Mazeichnung. 5 mm LED package (T 1 3/4), black-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight) lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: see package outline. Semiconductor Group 2 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 85 85 5 100 3 150 300 Einheit Unit C C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF (DC) IFSM Ptot Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA bei Montage auf FR4 Platine, Padgroe je 20 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm2 each Semiconductor Group 3 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm 55 nm 14 0.09 0.3 x 0.3 0.5 Grad deg. mm2 mm s A LxB LxW tr, tf Co 25 pF VF VF IR 1.30 ( 1.5) 2.30 ( 2.8) 0.01 ( 1) V V A e 22 mW Semiconductor Group 4 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value - 0.5 Einheit Unit %/K TCI TCV TC -2 0.3 mV/K nm/K Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.001 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Symbol Symbol Ie typ Ie min Ie typ Wert Value 50 25 450 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr Semiconductor Group 5 1998-11-12 SFH 4510 SFH 4515 Relative spectral emission Irel = f () 100 % OHRD1938 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 s Radiant intensity 10 2 A OHR01551 Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 mA 100 OHF00387 rel 80 e e 100 mA F 10 60 1 80 10 0 40 60 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 1000 nm 1060 10 -2 10 -3 0 10 -2 10 -1 10 0 A F 10 1 0 20 40 60 80 100 C 120 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s 10 1 OHR01554 Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00860 F A F mA 5 D = 0.005 0.01 tp D= tp T T F 10 0 0.02 10 -1 10 3 0.1 0.2 0.05 5 10 -2 0.5 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Radiation characteristics Irel = f () 40 30 20 10 0 1.0 50 0.8 60 OHF00265 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 6 1998-11-12 |
Price & Availability of SFH4515
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